二、實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目名稱：雙極晶體管直流特征的測(cè)量
三、實(shí)驗(yàn)學(xué)時(shí)：3
四、實(shí)驗(yàn)原理：
如下圖所示，晶體管特征圖示儀提供Vce的鋸齒波掃描電壓和Ib的階梯變化，且兩者一一對(duì)應(yīng)，便產(chǎn)生Ib從Ib0、Ib1、Ib2等Vce從零到最大值的曲線族。從而測(cè)量晶體管的直流特性。
五、實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?/strong>
掌握晶體管特征圖示儀的工作原理。并能熟練地運(yùn)用其對(duì)雙極晶體管的直流特性進(jìn)行測(cè)試。
六、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：
a. 反向漏電流和反向擊穿電壓的測(cè)試
b. 輸入阻抗的測(cè)試
c. 電流增益的測(cè)試
d. 飽和壓降的測(cè)試
e. 正常管與失效管輸出特性曲線比較
七、實(shí)驗(yàn)器材（設(shè)備、元器件）：
晶體管特征圖示儀，3DG6，3AG6雙極晶體管
八、實(shí)驗(yàn)步驟：
a. 開啟電源，預(yù)熱5分鐘，調(diào)節(jié)“輝度”、“聚焦”、“輔助聚焦”使顯示清晰。
b. 識(shí)別晶體管的管腳，及用萬用表驗(yàn)證。根據(jù)實(shí)驗(yàn)方法進(jìn)行測(cè)試。
c.測(cè)試完成后，將“峰值電壓”調(diào)回零。
九、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及結(jié)果分析：
| 樣品 參數(shù) | 3AG6 | 3DG6 | ||
| 測(cè)試條件 | 測(cè)試結(jié)果 | 測(cè)試條件 | 測(cè)試結(jié)果 | |
| Icbo | Vcb=10V | 18uA | Vcb=20V | 0.5uA |
| Iebo | Veb=1V | 30uA | Veb=10V | 0.4uA |
| Iceo | Vce=10V | 48uA | Vce=10V | 0.4 uA |
| Vebo | Ib=-100uA | 8V | Ib=10mA | 7V |
| Vcbo | Ic=100uA | 26V | Ic=10mA | 75V |
| Vceo | Ic=100uA | 14V | Ic=10mA | 63V |
| Hie |
Ib=50 uA Vce=5V |
14KW |
Ib=1mA Vce=2V |
17KW |
| Hfe |
Ic=2mA Vce=5V |
56 |
Ic=0.2A Vce=2V |
80 |
| Vbes | Ic=10Ib | 12V | Ic=10Ib | 8V |
十、實(shí)驗(yàn)結(jié)論：
通過測(cè)試，可以知道：高頻小功率NPN晶體管與大功率PNP晶體管比較，增益較大，漏電流較小, 指標(biāo)較高。3DG6晶體管的一致性較好，3AG6功率管的指標(biāo)一致性有待改進(jìn)，這與工藝水平密切相關(guān)。
十一、總結(jié)及心得體會(huì)：
雙極晶體管是一種重要的半導(dǎo)體器件，在各種電子設(shè)備中得到非常廣泛的應(yīng)用。因而對(duì)其直流特性的測(cè)量與掌握，是設(shè)計(jì)和使用雙極晶體管的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)的使我掌握了晶體管特性圖示儀測(cè)量雙極晶體管直流特性的原理和使用方法，理解了雙極晶體管的基本參數(shù)和工作原理。
十二、對(duì)本實(shí)驗(yàn)過程及方法、手段的改進(jìn)建議：
（1） 建議增加探針臺(tái)，在線測(cè)試芯片中的器件；
（2） 建議增加溫度控制設(shè)備，測(cè)量溫度對(duì)器件的影響。